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氮化镓:第三代半导体后起之秀 下游渗透潜力巨大 全球看热讯

2023-04-14 19:33:45 来源:浙商证券股份有限公司

投资要点


(资料图片)

氮化镓(GaN)是最具代表性的第三代半导体材料之一,禁带宽度达到3.4eV。

更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优的抗辐照能力,使得其在功率器件、射频器件、光电器件领域大有作为。随着5G 通信、消费电子、新能源汽车、数据中心等高景气度下游逐步提出更高性能要求,有望放量提价。

氮化镓衬底制备技术正不断突破,或成降本增效关键点目前GaN 单晶衬底以2-3 英寸为主,4 英寸已实现商用,6 英寸样本正开发。

GaN 体单晶衬底的主要方法有氢化物气相外延法、氨热法,以及助熔剂法;利用各生长方法优势互补有望解决单一生长方法存在的问题,进而提升GaN 晶体质量、降低成本及推动规模量产。

射频电子领域、电力电子领域以及光电子领域为GaN 主要应用方向GaN 是目前能同时实现高频、高效、大功率的代表性器件,在5G 基站、新能源充电桩等新基建代表中均有所应用。GaN 器件是支撑“新基建”建设的关键核心部件,有助于“双碳”目标实现,推动绿色低碳发展。

伴随下游新应用规模爆发,GaN 器件有望持续放量2017 年-2021 年国内GaN 功率器件与射频器件市场规模从9.2 亿元/12.1 亿元增长至17.6 亿元/73.3 亿元,CAGR 分别为17.6%和56.9%。未来,随着新基建、新能源、新消费等领域的持续推进,GaN 器件在国内市场的应用呈现出快速增长的态势。

随着国家政策的推动和市场的需求,GaN 器件在5G 基站、数据中心有望集中放量,稳定增长。2021 年我国5G 基站用GaN 射频规模36.8 亿元。2023 年以后,毫米波基站部署将成为拉动市场的主要力量,带动国内 GaN 微波射频器件市场规模成倍数增长。

GaN 器件在“快充”场景引领下,有望随中国经济的复苏和消费电子巨大的存量市场而不断破圈。根据Yole 预测,2020 年全球GaN 功率市场规模约为4600 万美元,预计2026 年可达11 亿美元,2020-2026 年CAGR 有望达到70%。

GaN 器件在太阳能逆变器、风力发电、新能源汽车等方面将随着技术不断进步陆续“上车”。

风险提示

产品研发速度、下游推广不及预期:相关高景气度下游增速放缓,渗透率不及预期:产能受限风险存在:供应链稳定性受脱钩影响较大。

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