东微半导(688261)：高性能功率器件的技术引领者

东微半导是国内高性能功率器件的头部设计公司，18-21年公司扣非归母净利润年均复合增速达95.1%。公司专注于半导体器件结构技术创新，拥有多项半导体器件核心专利，以高压超级结MOSFET为代表的产品打破了大功率直流充电桩等领域国外厂商的长期垄断。公司18-21年进入高速成长期，营业收入年均复合增速为72.3%;扣非归母净利润年均复合增速为95.1%。

超级结MOSFET国产化率仍低，汽车、新能源与5G等应用带来功率器件增量需求。超级结MOSFET是突破“硅极限”的高端功率器件，目前国产化率仅18%，有较大的存量替代空间。此外，超级结MOSFET的耐压特性及导通性能主要适用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩及各类大功率电源中，因此在汽车、新能源与5G带来的增量场景驱动下，25年全球超级结MOSFET市场有望由22年10.5亿美元增至12亿美元。

公司产品性能比肩国际一流厂商，研发成果转换效率高。公司器件设计能力强，以公司超级结GreenMOS系列产品为例，通过自主器件设计和工艺优化，产品性能已达国际一流水平，是国内最早进入工业和汽车相关应用领域的功率器件厂商之一。21年公司研发人员占比达44%，人均营收贡献1043万元，远超行业平均水平，研发成果转换效率高。

(资料图片仅供参考)

公司1H22汽车与工业级应用占比已超70%，客户覆盖各领域行业龙头。截至1H22，公司直流充电桩收入（YoY+60%）占比超17%，光伏逆变器收入（YoY+300%）占比约10%，车载充电机收入（YoY+1350%）占比超14%，各类工业及通信电源收入（YOY+58%）占比约21%;客户覆盖比亚迪、客户A、麦格米特、昱能科技与宁德时代等各领域龙头厂商。在多领域需求驱动下，公司3Q22库存周转天数约为66.4天，明显低于行业平均水平（111.6天）。

公司器件产品不断革新，TGBT与碳化硅等新产品打开多维增长空间。预计22-25年全球IGBT市场将12.1%复合增速增长至136亿美元，碳化硅器件市场将以42%复合增速增长至43亿美元，行业处于加速渗透期。公司自主设计的新产品IGBT（TGBT）与超级硅已获客户认可并批量应用，碳化硅相关产品已推出，未来有望随行业发展加速渗透，成为公司新的增长点。

估值的风险

我们采取了相对估值方法，根据公司主营业务主要为高性能功率器件，分别选取与公司相近的可比公司2023年平均咋做为相对估值的参考，最终给予公司，可能未充分考虑市场及该行业整体估值偏高的凤险。

盈利预测的风险

我们假设公司未来3年收入增长42.7%/44.8%/40.0%，可能存在对公司产品销量及价格预计偏乐观、进而高估未来3年业绩的风险。

我们预计公司未来3年毛利率分别为33.9%/34.11/3.99%，可能存在对公司成本估计偏低、毛利高估，从而导致对公司未来3年盈利预测值高于实际值的风险。

我们预计公司新增产能明年稳定释放，若实际华虹分配产能不及预期，存在未来3年业绩预期高估的风险。

公司盈利受高功率性能的价格影响较大，我们预计未来3年公司主要产品超级硅或碳化硅与TGBT产品将加速渗透，著由于竞争加剧，产品客户拓展不及预期，从而存在高估未来3年业绩的风险。

经营风险

行业周期性波动风险r半导体行业渗透于国民经济的各个领域，行业整体波动性与宏观经济形势具有一定的关联性。公司产品主要应用于工业控制及电源、新能源汽车、光伏和储能等领域，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，上述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影响，从而对公司的销售和利润带来负面影响。

行业竞争加剧的风险。随着行业竞争加剧，设计公司不断涌现。IDM工艺升级加速61，若公司未来不能持续维持竞争优势，提高自身竞争力，在更加激烈的市场竞争中782，公司将面临市场份额下降的风险。

新产品的研发及市场推广的风险：公司新产品TGBT、超级硅及碳化硅复合器件处于小批量或样品阶段，实现批量生产和销售还有一定时间，如果新产品不能如期获得市场认可。将会对公司经营发展产生不利影响。

其它风险

股份解禁风险。公司2371万股首发原股东限售股份及首发战略配售股份于202730210上市流通。预计占解禁后流通股61.42%;预计占总股本35.2%20w，若解禁股短期内集中抛售，会对公司股价带来较大波动。

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